1. Què és el carbur de silici?
El carbur de silici (SiC) és un compost compost de carboni i silici, generalment en forma de cristalls negres o verds. És un material molt dur amb un alt punt de fusió, una excel·lent conductivitat tèrmica i resistència química, per la qual cosa s'utilitza àmpliament en la mòlta, tall, dispositius electrònics i equips d'alta temperatura.
2. Quines són les principals aplicacions del carbur de silici?
Materials abrasius: s'utilitzen per fabricar moles, paper de vidre, abrasius, etc.
Materials semiconductors: s'utilitzen per fabricar dispositius electrònics d'alta temperatura, alta freqüència i gran potència com ara díodes, MOSFET, etc.
Materials refractaris: s'utilitzen en ambients d'alta temperatura, com ara forns d'alta temperatura i intercanviadors de calor.
Segells mecànics: s'utilitzen per segellar components en equips mecànics com bombes i compressors.
Materials ceràmics: s'utilitzen per fer diversos productes ceràmics resistents al desgast i a la corrosió.
3. Quins tipus de carbur de silici hi ha?
Carbur de silici negre: té un contingut de carboni més elevat i una gran duresa, i s'utilitza principalment per a la mòlta de materials.
Carbur de silici verd: té una puresa més alta i una duresa més alta, i s'utilitza principalment per tallar materials durs.
Carbur de silici lligat a la reacció (RBSiC): fet per procés de sinterització de reacció, té excel·lents propietats mecàniques i resistència a la corrosió.
Carbur de silici sinteritzat premsat en calent (HPSiC): fabricat mitjançant un procés de sinterització de premsat en calent, té una major densitat i resistència mecànica.
4. Quins són els mètodes de preparació del carbur de silici?
Mètode tradicional: Es fa escalfant una barreja de sorra de quars i coc de petroli a alta temperatura en un forn de resistència.
Mètode de deposició de vapor (CVD): dipòsit de pel·lícula de carbur de silici sobre un substrat mitjançant tecnologia de deposició química de vapor.
Mètode de sinterització: inclosa la sinterització de reacció, la sinterització de premsat en calent, etc., prement la pols de carbur de silici en forma i la sinterització a alta temperatura.
5. Quins avantatges té el carbur de silici en el camp dels semiconductors?
Alta intensitat de camp elèctric de ruptura: permet aplicacions de major tensió.
Alta conductivitat tèrmica: dissipació de calor eficaç, adequada per a dispositius d'alta potència.
Alta mobilitat electrònica: millora la velocitat de commutació del dispositiu.
Ampli marge de banda: encara pot mantenir un rendiment electrònic excel·lent a altes temperatures.
